PECVD
PECVD (Công nghệ lắng đọng hơi hóa học tăng cường bằng plasma) là công nghệ được sử dụng để lắng đọng các lớp màng mỏng trên bề mặt của chất nền.
Nguyên tắc chủ yếu bao gồm các bước sau:
1. Giới thiệu tiền chất khí:qua các tiền chất khí cụ thể (như silan, amoniac, v.v.) vào buồng phản ứng. Các khí này, trong điều kiện thích hợp, sẽ phân hủy và tạo thành màng rắn.
2. Tạo ra plasma:Plasma được tạo ra trong buồng phản ứng bằng cách áp dụng trường điện tần số cao hoặc trường điện một chiều. Quá trình này kích thích các phân tử khí, ion hóa chúng và tạo ra các hạt tích điện (electron, ion, v.v.) và các hạt trung tính.
3. Phản ứng hóa học:Dưới tác động của plasma, tiền chất khí phân hủy thành các chất hoạt động (như nguyên tử, phân tử, v.v.), phản ứng trên bề mặt chất nền để tạo thành màng mỏng. Do có plasma, tốc độ phản ứng thường cao và có thể lắng đọng ở nhiệt độ thấp hơn, phù hợp với các vật liệu nhạy nhiệt.
4. Lắng đọng màng mỏng:Các loài hoạt động tập hợp trên bề mặt của chất nền và trải qua các phản ứng hóa học để tạo thành màng rắn. Trong quá trình lắng đọng, việc điều chỉnh các thông số như nhiệt độ, áp suất và dòng khí có thể ảnh hưởng đến chất lượng và tính chất của màng.
5. Kiểm soát đặc tính màng mỏng:Bằng cách thay đổi loại, tốc độ dòng chảy, áp suất phản ứng và công suất plasma của tiền chất, có thể lắng đọng các loại màng mỏng khác nhau, chẳng hạn như silicon nitride, silicon oxide, v.v., để điều chỉnh các tính chất điện, quang và cơ học của chúng.
PECVD được sử dụng rộng rãi trong chất bán dẫn, thiết bị quang điện tử, pin mặt trời và các lĩnh vực khác và được đánh giá cao vì những ưu điểm về chất lượng màng mỏng và điều kiện lắng đọng.
