Pag-ukit
Mga pangunahing prinsipyo ng dry etching
1. Gas reaction**: Sa dry etching, ang mga gas tulad ng fluoride at chloride ay karaniwang ginagamit bilang etchants. Ang mga gas na ito ay tumutugon sa materyal na iuukit sa isang estado ng plasma upang bumuo ng mga pabagu-bago ng produkto.
2. Plasma generation**: Ang gas ay na-convert sa plasma sa pamamagitan ng radio frequency (RF) excitation o microwave excitation. Sa plasma, ang mga molekula ng gas ay ionized upang makabuo ng mga libreng radical at ion, na maaaring epektibong tumugon sa materyal.
3. Selective etching**: Maaaring magkaroon ng mataas na selectivity ang dry etching at maaaring piliing tanggalin ang mga partikular na materyales habang hindi nagbabago ang iba pang mga materyales. Napakahalaga nito para sa pagproseso ng mga kumplikadong istruktura.
Mga aplikasyon ng dry etching
- Paggawa ng semiconductor: Ginagamit para sa paglipat ng pattern sa mga wafer ng silicon upang bumuo ng mga circuit.
- Paggawa ng MEMS: Pagproseso ng istruktura ng mga microelectromechanical system.
- Optoelectronics: Paggawa ng mga optoelectronic na bahagi tulad ng mga laser at detector.
