Etching
Gury ekişiň esasy ýörelgeleri
1. Gaz reaksiýasy **: Gury erişde, ftorid we hlorid ýaly gazlar köplenç etant hökmünde ulanylýar. Bu gazlar, üýtgäp durýan önümleri emele getirmek üçin plazma ýagdaýynda goýuljak material bilen reaksiýa berýär.
2. Plazma öndürmek **: Gaz radio ýygylygy (RF) tolgunma ýa-da mikrotolkun tolgunmasy arkaly plazma öwrülýär. Plazmada, gaz molekulalary material bilen täsirli reaksiýa berip bilýän erkin radikallary we ionlary öndürmek üçin ionlaşdyrylýar.
3. Bu çylşyrymly gurluşlary gaýtadan işlemek üçin örän möhümdir.
Gury erişiň goşundylary
- icarymgeçiriji önümçiligi: Zynjyr emele getirmek üçin kremniý wafli nagyş geçirmek üçin ulanylýar.
- MEMS önümçiligi: Mikroelektromehaniki ulgamlaryň gurluş taýdan gaýtadan işlenişi.
- Optoelektronika: Lazer we detektor ýaly optoelektroniki komponentleri öndürmek.
