Himiki bug çöketligi (CVD), gaz prekursorlaryny himiki reaksiýalar arkaly gaty materiallara öwürýän we substratyň üstünde goýýan örtük tehnologiýasynyň bir görnüşidir. CVD-iň esasy ýörelgesi, piroliz, peselme we okislenme ýaly himiki reaksiýalar arkaly substratyň üstünde inçe film döretmekdir. CVD tehnologiýasy köp sanly material saýlamagyň, ýokary filmiň hiliniň we çeýe prosesiniň artykmaçlyklaryna eýedir.
CVD tehnologiýasynyň ösüşi 20-nji asyryň başynda başlandy, ýöne senagatda ulanylyşy esasan 20-nji asyryň ortalaryndan ahyryna çenli jemlenipdi. Ondarymgeçiriji pudagynyň ösmegi bilen CVD tehnologiýasy giňden ulanyldy we çalt ösdi.
Himiki buglary çökdürmegiň köp usuly bar, meselem, atmosfera basyşy himiki bug çökdürilmegi (APCVD), pes basyşly himiki bug çökdürilmegi (LPCVD), ultramelewşe wakuum himiki bug çökdürilmegi (UHVCVD), lazer himiki bug çökdürilmegi (LCVD), metal-organiki himiki bug çökdürilmegi (MOCVD), plazma güýçlendirilen himiki bug bugy (MOCVD) we ş.m.
Himiki bug çökgünliginiň ösüşi, aşakdaky ýaly aýratynlyklary bilen aýrylmazdyr.
I) Depozitleriň köp görnüşi bar: metal filmler, metal däl filmler goýulyp bilner we köp komponentli garyndy filmleri, şeýle hem keramiki ýa-da goşma gatlaklar zerur bolanda taýýarlanyp bilner.
2) CVD reaksiýasy atmosfera basyşynda ýa-da pes vakuumda amala aşyrylýar we örtügiň difraksiýasy gowy. Çylşyrymly ýüzleri ýa-da çuň deşikleri we iş böleklerinde inçe deşikleri deň derejede örtüp biler.
3) highokary arassalygy, gowy dykyzlygy, pes galyndy stres we gowy kristallaşmagy bilen inçe film örtügini alyp biler. Reaksiýa gazynyň, reaksiýa önüminiň we substratyň özara ýaýramagy sebäpli, gowy ýelmeşýän film gatlagyny alyp bolýar, bu ýerüsti passiwlik, poslama garşylyk we könelişme garşylygy üçin örän möhümdir.
4) Inçe filmiň ösüşiniň temperaturasy film materialynyň ereýän nokadyndan has pes bolany üçin, käbir ýarymgeçiriji filmler üçin zerur bolan ýokary arassalygy we doly kristallaşmagy bolan film gatlagyny alyp bolýar.
5) Depolýasiýa parametrlerini sazlamak bilen himiki düzümi, morfologiýa, kristal gurluşy we örtügiň däne ululygy netijeli dolandyrylyp bilner.
6) Enjamlar ýönekeý we işlemek we goldamak aňsat.
7) Reaksiýanyň temperaturasy gaty ýokary, köplenç 850 ~ 1100 and, we köp substrat materiallar CVD-iň ýokary temperaturasyna çydap bilmeýärler. Depozit temperaturasyny peseltmek üçin plazma ýa-da lazer kömegi bilen tehnologiýa ulanylyp bilner.
01








