Спуттеринг.PVD
1. Сарпӯши пошидани магнитрон нисбат ба рӯйпӯши ионҳои камон хеле беҳтар аст ва заррачаҳои қатраҳои дағал камтаранд.
2. Қувваи пайванди филм-субстрат беҳтар аз он аст, ки молидани бухоршавии вакуумӣ. Дар технологияи печонидани бухоршавии вакуумӣ энергияи атомҳо дар қабати плёнка танҳо энергияи гармие мебошад, ки ҳангоми бухоршавӣ интиқол дода мешавад, ки ба 00,1~0,2эВ баробар аст; дар ҳоле ки дар технологияи пӯшонидани пошидани магнетрон энергияи зарраҳои қабати филм аз ҷониби ионҳои аргон ва атомҳои рӯи ҳадаф тавлид мешавад. Мубодилаи импульс ва импулс метавонад қувваи пайванди мембранаро беҳтар кунад.
3. Таркиби қабати плёнка ба маводи мавриди ҳадаф наздик аст. Дар қабати плёнкаи пошидани магнетрон аз ҳадаф тавассути ионҳои аргон пошида мешавад ва таркиби қабати плёнка ба таркиби маводи мавриди ҳадаф хеле наздик аст. Падидаи "фраксия" ё "таҷзия" дар муқоиса бо пӯшиши бухоршавӣ нисбатан сабук аст. Аммо, дар маҷмӯъ, ҳангоми пӯшидани филми функсионалӣ бо талаботҳои хеле қатъии иҷроиш, дар ҷараёни пошидан миқдори муайяни гази реактивӣ бояд илова карда шавад, то таркиби филми мураккаби филм ба таносуби стехиометрӣ мувофиқат кунад, то ба талаботи иҷрои филм мувофиқат кунад.
4. Дар молидани дорои иҷрои молидани хуб. Фишори вакууми қабати пошидан паст аст. Роҳи озоди молекулаҳои газ кӯтоҳ аст, эҳтимолияти бархӯрд баланд аст ва дар муқоиса бо қабати бухоршавӣ, қобилияти парокандагии зарраҳои филм қавӣ аст, иҷрои пӯшиш хуб аст ва ғафсии филм яксон аст.
5. Ҳадафи Sputtering манбаи молидани навъи минтақа аст. Дарозии ҳам ҳадафи пошидани ҳавопаймои Magnetron ва ҳам ҳадафи магнетрони силиндрӣ метавонад ба 300 ~ 3000 мм расад. Гарчанде ки ҳарду сарчашмаҳои пӯшиши хаттӣ мебошанд, дар якҷоягӣ бо ҳаракати пайвастаи порчаи кор, онро метавон дар майдони калони қисмҳо пӯшонид. Агар плёнка дар рӯи шиша бо паҳнои 3300 мм пӯшонида шавад, қабати якхелаи плёнка бо рангҳо ва интиқоли гуногун ба даст овардан мумкин аст. Парокандаии магнетронӣ ҳангоми гузоштани плёнкаҳои тунуки масоҳати калон васеъ истифода мешавад.
6. Шиддати ғафсро ба қисмҳои корӣ истифода баред. Дар аввал, дар технологияи пошидани Magnetron. Дар айни замон, технологияи кафшеркунии магнетронӣ дар зери қабатҳои металлӣ ба таври васеъ истифода мешавад ва истифодаи шиддати манфии ғафс ба қисмҳои корӣ барои беҳтар кардани сифати қабати плёнка ба технологияи асосии пӯшонидани плёнкаҳои функсионалии махсус ва маҳсулоти ороишии баландсифат табдил ёфтааст.
