ПХВД
PECVD (плазменно-химическое осаждение из паровой фазы) — это технология, используемая для нанесения тонких пленок на поверхность подложек.
Принцип в основном включает в себя следующие этапы:
1. Введение газовых прекурсоров:через определенные газовые прекурсоры (такие как силан, аммиак и т. д.) в реакционную камеру. Эти газы при правильных условиях разложатся и образуют твердую пленку.
2. Генерация плазмы:Плазма генерируется в реакционной камере путем приложения высокочастотного электрического поля или электрического поля постоянного тока. Этот процесс возбуждает молекулы газа, ионизируя их и генерируя заряженные частицы (электроны, ионы и т. д.) и нейтральные частицы.
3. Химическая реакция:Под действием плазмы прекурсор газа распадается на активные частицы (такие как атомы, молекулы и т. д.), которые реагируют на поверхности подложки, образуя тонкую пленку. Благодаря присутствию плазмы скорость реакции обычно высока и осаждение может осуществляться при более низких температурах, что делает его пригодным для термочувствительных материалов.
4. Нанесение тонких пленок:Активные частицы собираются на поверхности подложки и подвергаются химическим реакциям, образуя твердые пленки. В процессе осаждения регулировка таких параметров, как температура, давление и поток газа, может влиять на качество и свойства пленки.
5. Контроль характеристик тонкой пленки:Изменяя тип, скорость потока, давление реакции и мощность плазмы прекурсора, можно осуществлять осаждение различных типов тонких пленок, таких как нитрид кремния, оксид кремния и т. д., регулируя их электрические, оптические и механические свойства.
PECVD широко используется в полупроводниках, оптоэлектронных устройствах, солнечных элементах и других областях и ценится за свои преимущества в качестве тонких пленок и условиях осаждения.
01