Gravurare
Principii de bază ale gravării uscate
1. Reacția gazelor**: În gravarea uscată, gazele precum fluorul și clorura sunt de obicei folosite ca agenți. Aceste gaze reacţionează cu materialul care urmează să fie gravat în stare de plasmă pentru a forma produse secundare volatile.
2. Generarea de plasmă**: Gazul este transformat în plasmă prin excitație cu frecvență radio (RF) sau excitare cu microunde. În plasmă, moleculele de gaz sunt ionizate pentru a produce radicali liberi și ioni, care pot reacționa eficient cu materialul.
3. Gravurarea selectivă**: Gravarea uscată poate obține o selectivitate ridicată și poate îndepărta selectiv anumite materiale, lăsând alte materiale neschimbate. Acest lucru este foarte important pentru prelucrarea structurilor complexe.
Aplicații de gravare uscată
- Fabricarea semiconductoarelor: Folosit pentru transferul modelului pe plăci de siliciu pentru a forma circuite.
- Fabricarea MEMS: Prelucrarea structurală a sistemelor microelectromecanice.
- Optoelectronică: producerea de componente optoelectronice, cum ar fi lasere și detectoare.
01