PECVD
PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) is een technologie die wordt gebruikt om dunne films op het oppervlak van substraten af te zetten.
Het principe omvat hoofdzakelijk de volgende stappen:
1. Introductie van gasprecursoren:door specifieke gasprecursoren (zoals silaan, ammoniak, enz.) in de reactiekamer. Deze gassen zullen onder de juiste omstandigheden ontbinden en een vaste film vormen.
2. Plasmageneratie:Plasma wordt in de reactiekamer gegenereerd door een hoogfrequent elektrisch veld of een gelijkstroomveld aan te leggen. Dit proces exciteert gasmoleculen, ioniseert ze en genereert geladen deeltjes (elektronen, ionen, enz.) en neutrale deeltjes.
3. Chemische reactie:Onder invloed van plasma ontleedt de gasprecursor in actieve deeltjes (zoals atomen, moleculen, enz.), die op het oppervlak van het substraat reageren en een dunne film vormen. Door de aanwezigheid van plasma is de reactiesnelheid doorgaans hoog en kan het bij lagere temperaturen worden aangebracht, waardoor het geschikt is voor warmtegevoelige materialen.
4. Afzetting van dunne films:Actieve soorten aggregeren op het oppervlak van het substraat en ondergaan chemische reacties om vaste films te vormen. Tijdens het afzettingsproces kunnen parameters zoals temperatuur, druk en gasstroom de kwaliteit en eigenschappen van de film beïnvloeden.
5. Controle van de eigenschappen van dunne films:Door het type, de stroomsnelheid, de reactiedruk en het plasmavermogen van de precursor te veranderen, kan de afzetting van verschillende soorten dunne films, zoals siliciumnitride, siliciumoxide, enz., worden gerealiseerd om hun elektrische, optische en mechanische eigenschappen te regelen.
PECVD wordt veel gebruikt in halfgeleiders, opto-elektronische apparaten, zonnecellen en andere sectoren en wordt gewaardeerd om zijn voordelen op het gebied van dunnefilmkwaliteit en afzettingsomstandigheden.
