Etsen
Basisprincipes van droog etsen
1. Gasreactie**: Bij droog etsen worden meestal gassen zoals fluoride en chloride als etsmiddelen gebruikt. Deze gassen reageren in een plasmatoestand met het te etsen materiaal en vormen vluchtige bijproducten.
2. Plasmageneratie**: Het gas wordt omgezet in plasma door middel van radiofrequentie (RF)-excitatie of microgolfexcitatie. In het plasma worden de gasmoleculen geïoniseerd om vrije radicalen en ionen te produceren, die effectief kunnen reageren met het materiaal.
3. Selectief etsen**: Droog etsen kan een hoge selectiviteit bereiken en specifieke materialen selectief verwijderen, terwijl andere materialen ongewijzigd blijven. Dit is zeer belangrijk bij de verwerking van complexe structuren.
Toepassingen van droog etsen
- Halfgeleiderfabricage: wordt gebruikt voor patroonoverdracht op siliciumwafers om schakelingen te vormen.
- MEMS-fabricage: Structurele verwerking van micro-elektromechanische systemen.
- Opto-elektronica: Fabricage van opto-elektronische componenten zoals lasers en detectoren.
