Etsen
Basisprincipes van droog etsen
1. Gasreactie**: Bij droog etsen worden gassen zoals fluoride en chloride meestal gebruikt als etsmiddelen. Deze gassen reageren met het te etsen materiaal in een plasmatoestand om vluchtige bijproducten te vormen.
2. Plasmageneratie**: Het gas wordt omgezet in plasma door middel van radiofrequentie (RF) excitatie of microgolf excitatie. In het plasma worden de gasmoleculen geïoniseerd om vrije radicalen en ionen te produceren, die effectief kunnen reageren met het materiaal.
3. Selectief etsen**: Droog etsen kan een hoge selectiviteit bereiken en kan selectief specifieke materialen verwijderen terwijl andere materialen ongewijzigd blijven. Dit is erg belangrijk voor de verwerking van complexe structuren.
Toepassingen van droog etsen
- Halfgeleiderproductie: wordt gebruikt voor patroonoverdracht op siliciumwafers om circuits te vormen.
- MEMS-fabricage: Structurele verwerking van micro-elektromechanische systemen.
- Opto-elektronica: Fabricage van opto-elektronische componenten zoals lasers en detectoren.
