ALD

Atomic Layer Deposition (ALD) is een zeer nauwkeurig proces gebaseerd op chemische dampdepositie (CVD). Dunnefilmdepositietechnologie is een techniek voor het afzetten van materialen in de vorm van films van één atoom op basis van chemische dampfasen, laag voor laag op het substraatoppervlak. Twee of meer precursorchemicaliën, elk met een ander element van het af te zetten materiaal, worden één voor één op het substraatoppervlak aangebracht. Elke precursor verzadigt het oppervlak en vormt een monolaag van materiaal.

Het groeiprincipe van ALD is vergelijkbaar met conventionele chemische weersdepositie (CVD), maar bij ALD worden de reactieprecursoren afwisselend afgezet tijdens het depositieproces, en is de chemische reactie van de nieuwe atoomlaag direct gekoppeld aan de vorige laag, met slechts één atoomlaag per reactie. Dankzij de zelfbeperkende groei-eigenschappen kan de film conform en zonder speldenprikken op het substraat worden afgezet. Hierdoor kan het aantal depositiecycli worden gecontroleerd om een ​​nauwkeurige controle over de filmdikte te verkrijgen.

Kenmerken en voordelen van atomaire laagdepositietechnologie

Hoge nauwkeurigheid. De dikte van het substraat kan eenvoudig en nauwkeurig worden geregeld door de reactiecyclus te regelen. De dikte van de film kan daarbij net zo nauwkeurig zijn als de dikte van een atoom.

Uitstekende driedimensionale