CVD

Depositio Vaporis chemica (CVD) genus est technologiae tunicae quae praecursores gaseos in solidas materias convertit per reactiones chemicas et eas in superficie subiecti deponit. Principium fundamentale CVD est tenuem velum generare in superficie subiecti per reactiones chemicas ut pyrolysis, reductionis et oxidationis. CVD technicae artis commoda amplis materialibus lectio, magni momenti cinematographici qualitas et processus flexibilis habet.

Progressio technologiae CVD primo XX saeculo incepit, sed eius applicationis industriae in medio saeculo XX maxime convenerunt. Cum evolutione semiconductoris industriae CVD technicae artis late usus est et celeriter elaborata est.

Multi modi depositionis vaporis chemici, ut pressura atmosphaerica, depositio vaporis chemici (APCVD), depressionis chemici vaporum depressionis (LPCVD), depositionis vaporis chemici ultra altum vacuum (UHVCVD), depositionis vaporis chemici laser (LCVD), depositionis vaporis metalli-organici chemici (MOCVD), plasmatis depositio chemici vaporis aucti (PECVD), etc.

Depositio vaporis chemici a propriis notis inseparabilis est, quae talis est.

I) Depositionum genera multa sunt: ​​membrana metallica, cinematographica non-metallica deponi possunt, et cinematographica multi- plexa mixtura, sicut etiam strata ceramica vel composita secundum exigentiam praeparari possunt.

2) Reactio CVD ad pressionem atmosphaeriam seu humilem vacuum exercetur, et diffractio membranae bona est. Potest aequabiliter tunica superficierum complexarum vel profunda voragines et subtilia foramina in workpieces.

3) Tenuis pellicula consequi potest cum summa puritate, bona densitate, humilis residua accentus et bonae crystallizationis. Ob mutuam diffusionem reactionis gas, reactionem productum et subiectum, tabularum pellicularum cum adhaesione bona obtineri potest, quae est gravissima ad passionem superficiem, resistentiam corrosionis et resistentiam gerunt.

4) Cum temperatura augmenti tenuis cinematographici multo minus quam punctum liquescens materiae cinematographicae, tabula cinematographica cum summa puritate et crystallizatione plenaria obtineri potest, quod est in cinematographico aliquo semiconductore necessarium.

5) Parametris depositionis aptando, compositionem chemicam, morphologiam, structuram crystallinam et magnitudinem liturae efficaciter coerceri possunt.

6) Apparatum simplex et facile ad operandum et conservandum.

7) Temperatura reactionem nimis alta est, plerumque 850~1100℃, et multae materiae subiectae caliditatem CVD sustinere non possunt. Plasma vel laser technicae artis adiutus adhiberi potest ad temperamentum depositionis reducendae.