PECVD
PECVD(플라스마 강화 화학 기상 증착)는 기판 표면에 박막을 증착하는 데 사용되는 기술입니다.
이 원칙은 주로 다음과 같은 단계로 구성됩니다.
1. 가스 전구체의 도입:특정 가스 전구체(실란, 암모니아 등)를 통해 반응 챔버로 유입됩니다. 이러한 가스는 적절한 조건에서 분해되어 고체 필름을 형성합니다.
2. 플라즈마 생성:플라스마는 반응 챔버에서 고주파 전기장이나 직류 전기장을 적용하여 생성됩니다. 이 과정은 가스 분자를 여기시켜 이온화하고 대전된 입자(전자, 이온 등)와 중성 입자를 생성합니다.
3. 화학 반응:플라즈마 작용 하에서 가스 전구체는 활성 종(예: 원자, 분자 등)으로 분해되고, 이는 기판 표면에서 반응하여 박막을 형성합니다. 플라즈마가 존재하기 때문에 반응 속도가 일반적으로 높고 더 낮은 온도에서 증착될 수 있어 열에 민감한 재료에 적합합니다.
4. 박막의 증착:활성 종은 기판 표면에 응집되어 화학 반응을 거쳐 고체 필름을 형성합니다. 증착 공정 동안 온도, 압력, 가스 흐름과 같은 매개변수의 조정은 필름의 품질과 특성에 영향을 미칠 수 있습니다.
5. 박막 특성 제어:전구체의 종류, 유량, 반응 압력, 플라즈마 전력 등을 변화시킴으로써 질화규소, 산화규소 등의 다양한 박막을 증착시켜 전기적, 광학적, 기계적 특성을 조절할 수 있다.
PECVD는 반도체, 광전자소자, 태양전지 등 다양한 분야에서 널리 사용되고 있으며, 박막 품질과 증착 조건에서 우수한 장점을 가지고 있어 평가받고 있습니다.
