ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್.ಪಿವಿಡಿ

1. ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಲೇಪನವು ಆರ್ಕ್ ಅಯಾನ್ ಲೇಪನಕ್ಕಿಂತ ಉತ್ತಮವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ಒರಟಾದ ಹನಿ ಕಣಗಳಿವೆ.

2. ಫಿಲ್ಮ್-ಸಬ್‌ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ಬಂಧದ ಬಲವು ನಿರ್ವಾತ ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆ ಲೇಪನಕ್ಕಿಂತ ಉತ್ತಮವಾಗಿದೆ. ನಿರ್ವಾತ ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆ ಲೇಪನ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದಲ್ಲಿ, ಫಿಲ್ಮ್ ಪದರದಲ್ಲಿನ ಪರಮಾಣುಗಳ ಶಕ್ತಿಯು ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಸಾಗಿಸುವ ಶಾಖ ಶಕ್ತಿಯಾಗಿದೆ, ಇದು 00.1~0.2eV ಗೆ ಸಮನಾಗಿರುತ್ತದೆ; ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಸ್ಪಟರಿಂಗ್ ಲೇಪನ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದಲ್ಲಿ, ಫಿಲ್ಮ್ ಪದರದ ಕಣಗಳ ಶಕ್ತಿಯು ಆರ್ಗಾನ್ ಅಯಾನುಗಳು ಮತ್ತು ಗುರಿಯ ಮೇಲ್ಮೈ ಪರಮಾಣುಗಳಿಂದ ಉತ್ಪತ್ತಿಯಾಗುತ್ತದೆ. ವಿನಿಮಯ ಮತ್ತು ಆವೇಗ ವಿನಿಮಯವು ಪೊರೆ-ಬೇಸ್ ಬಂಧದ ಬಲವನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಬಹುದು.

3. ಫಿಲ್ಮ್ ಪದರದ ಸಂಯೋಜನೆಯು ಗುರಿ ವಸ್ತುವಿಗೆ ಹತ್ತಿರದಲ್ಲಿದೆ. ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್‌ನ ಫಿಲ್ಮ್ ಪದರವು ಆರ್ಗಾನ್ ಅಯಾನುಗಳಿಂದ ಗುರಿಯಿಂದ ಸ್ಪಟ್ಟರ್ ಆಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಫಿಲ್ಮ್ ಪದರದ ಸಂಯೋಜನೆಯು ಗುರಿ ವಸ್ತುವಿನ ಸಂಯೋಜನೆಗೆ ಬಹಳ ಹತ್ತಿರದಲ್ಲಿದೆ. ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ "ಭಿನ್ನರಾಶಿ" ಅಥವಾ "ವಿಭಜನೆ" ವಿದ್ಯಮಾನವು ಬಾಷ್ಪೀಕರಣ ಲೇಪನಕ್ಕೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ತುಲನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಹಗುರವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಅತ್ಯಂತ ಕಟ್ಟುನಿಟ್ಟಾದ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ ಅವಶ್ಯಕತೆಗಳೊಂದಿಗೆ ಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕ ಫಿಲ್ಮ್ ಅನ್ನು ಲೇಪಿಸುವಾಗ, ಫಿಲ್ಮ್‌ನ ಸಂಯುಕ್ತ ಫಿಲ್ಮ್ ಸಂಯೋಜನೆಯು ಸ್ಟೊಚಿಯೊಮೆಟ್ರಿಕ್ ಅನುಪಾತವನ್ನು ಪೂರೈಸುವಂತೆ ಮಾಡಲು ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಪ್ರಮಾಣದ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕ ಅನಿಲವನ್ನು ಸೇರಿಸಬೇಕು.

4. ಲೇಪನವು ಉತ್ತಮ ಲೇಪನ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಲೇಪನದ ನಿರ್ವಾತ ಒತ್ತಡ ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದೆ. ಅನಿಲ ಅಣುಗಳ ಮುಕ್ತ ಮಾರ್ಗವು ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ, ಘರ್ಷಣೆಯ ಸಂಭವನೀಯತೆ ಹೆಚ್ಚು, ಮತ್ತು ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆಯ ಲೇಪನಕ್ಕೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ, ಫಿಲ್ಮ್ ಕಣಗಳ ಚದುರುವಿಕೆ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವು ಬಲವಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಲೇಪನ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆ ಉತ್ತಮವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಫಿಲ್ಮ್ ದಪ್ಪವು ಏಕರೂಪವಾಗಿರುತ್ತದೆ.

5. ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಟಾರ್ಗೆಟ್ ಒಂದು ಏರಿಯಾ ಪ್ರಕಾರದ ಲೇಪನ ಮೂಲವಾಗಿದೆ. ಪ್ಲೇನ್ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಸ್ಪಟರಿಂಗ್ ಟಾರ್ಗೆಟ್ ಮತ್ತು ಸಿಲಿಂಡರಾಕಾರದ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಗುರಿ ಎರಡರ ಉದ್ದವು 300~3000 ಮಿಮೀ ತಲುಪಬಹುದು. ಎರಡೂ ರೇಖೀಯ ಲೇಪನ ಮೂಲಗಳಾಗಿದ್ದರೂ, ವರ್ಕ್‌ಪೀಸ್‌ನ ನಿರಂತರ ಚಲನೆಯೊಂದಿಗೆ, ಅದನ್ನು ದೊಡ್ಡ ಭಾಗಗಳ ಮೇಲೆ ಲೇಪಿಸಬಹುದು. 3300 ಮಿಮೀ ಅಗಲವಿರುವ ಗಾಜಿನ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಫಿಲ್ಮ್ ಅನ್ನು ಲೇಪಿಸಿದರೆ, ವಿಭಿನ್ನ ಬಣ್ಣಗಳು ಮತ್ತು ಪ್ರಸರಣದೊಂದಿಗೆ ಏಕರೂಪದ ಫಿಲ್ಮ್ ಪದರವನ್ನು ಪಡೆಯಬಹುದು. ದೊಡ್ಡ ಪ್ರದೇಶದ ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್‌ಗಳನ್ನು ಠೇವಣಿ ಮಾಡುವಲ್ಲಿ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಅನ್ನು ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.

6. ವರ್ಕ್‌ಪೀಸ್‌ಗೆ ಬಯಾಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಬಳಸಿ. ಮೊದಲಿಗೆ, ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದಲ್ಲಿ. ಇತ್ತೀಚಿನ ದಿನಗಳಲ್ಲಿ, ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಲೇಪನ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಲೋಹದ ತಲಾಧಾರಗಳಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಫಿಲ್ಮ್ ಪದರದ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು ವರ್ಕ್‌ಪೀಸ್‌ಗೆ ನಕಾರಾತ್ಮಕ ಬಯಾಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸುವುದು ವಿಶೇಷ ಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕ ಫಿಲ್ಮ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಉನ್ನತ-ಮಟ್ಟದ ಅಲಂಕಾರಿಕ ಉತ್ಪನ್ನಗಳನ್ನು ಲೇಪಿಸಲು ಮುಖ್ಯವಾಹಿನಿಯ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವಾಗಿದೆ.