エッチング
ドライエッチングの基本原理
1. ガス反応**：ドライエッチングでは、通常、フッ化物や塩化物などのガスがエッチング剤として使用されます。これらのガスはプラズマ状態でエッチング対象材料と反応し、揮発性の副生成物を生成します。
2. プラズマ生成**：ガスは高周波（RF）励起またはマイクロ波励起によってプラズマに変換されます。プラズマ中では、ガス分子が電離してフリーラジカルとイオンが生成され、それらが材料と効果的に反応します。
3. 選択エッチング**：ドライエッチングは高い選択性を実現し、特定の材料のみを選択的に除去し、他の材料はそのまま残すことができます。これは複雑な構造の加工において非常に重要です。
ドライエッチングの用途
- 半導体製造：シリコンウェハー上にパターンを転写して回路を形成するために使用されます。
- MEMS 製造: 微小電気機械システムの構造処理。
- オプトエレクトロニクス：レーザーや検出器などのオプトエレクトロニクス部品の製造。
