ALD
原子層堆積（ALD）は、高精度の化学気相堆積（CVD）をベースとしたプロセスです。薄膜堆積技術とは、化学気相反応に基づき、基板表面に単原子膜の形で材料を層状に堆積させる技術です。堆積する材料の異なる元素を含む2種類以上の前駆体化学物質を、一度に1つずつ基板表面に導入します。各前駆体は基板表面を飽和させ、材料の単層を形成します。
ALDの成長原理は従来の化学蒸着（CVD）と類似していますが、ALDでは、反応前駆体が堆積プロセス中に交互に堆積され、新しい原子層の化学反応は前の層と直接関連しており、反応ごとに1層の原子のみが堆積されます。自己制限的な成長特性により、膜は基板上にコンフォーマルかつピンホールなしで堆積されます。そのため、堆積サイクル数を制御することで、膜厚の精密な制御が可能になります。
原子層堆積技術の特徴と利点
高精度。反応サイクルを制御することで基板の厚さを簡単かつ正確に制御でき、膜の厚さは原子の厚さと同程度の精度が可能です。
優れた3次元
