Etsa
Prinsip dasar etsa kering
1. Reaksi gas**: Dalam etsa kering, gas seperti fluorida dan klorida biasanya digunakan sebagai zat pengoksidasi. Gas-gas ini bereaksi dengan material yang akan dietsa dalam keadaan plasma untuk membentuk produk sampingan yang mudah menguap.
2. Pembangkitan plasma**: Gas diubah menjadi plasma melalui eksitasi frekuensi radio (RF) atau eksitasi gelombang mikro. Dalam plasma, molekul gas diionisasi untuk menghasilkan radikal bebas dan ion, yang dapat bereaksi secara efektif dengan material.
3. Etching selektif**: Etching kering dapat mencapai selektivitas tinggi dan dapat secara selektif menghilangkan material tertentu sambil membiarkan material lain tidak berubah. Ini sangat penting untuk pemrosesan struktur yang kompleks.
Aplikasi etsa kering
- Manufaktur semikonduktor: Digunakan untuk transfer pola pada wafer silikon untuk membentuk sirkuit.
- Manufaktur MEMS: Pemrosesan struktural sistem mikroelektromekanis.
- Optoelektronik: Memproduksi komponen optoelektronik seperti laser dan detektor.
01