Penyakit kardiovaskular

Chemical Vapor Deposition (CVD) adalah jenis teknologi pelapisan yang mengubah prekursor gas menjadi material padat melalui reaksi kimia dan menyimpannya di permukaan substrat. Prinsip dasar CVD adalah menghasilkan lapisan tipis di permukaan substrat melalui reaksi kimia seperti pirolisis, reduksi, dan oksidasi. Teknologi CVD memiliki keunggulan berupa pemilihan material yang beragam, kualitas lapisan yang tinggi, dan proses yang fleksibel.

Perkembangan teknologi CVD dimulai pada awal abad ke-20, namun penerapannya dalam industri terutama terpusat pada pertengahan hingga akhir abad ke-20. Seiring dengan perkembangan industri semikonduktor, teknologi CVD telah digunakan secara luas dan berkembang pesat.

Terdapat banyak metode deposisi uap kimia, seperti deposisi uap kimia tekanan atmosfer (APCVD), deposisi uap kimia tekanan rendah (LPCVD), deposisi uap kimia vakum ultra tinggi (UHVCVD), deposisi uap kimia laser (LCVD), deposisi uap kimia logam-organik (MOCVD), deposisi uap kimia yang ditingkatkan plasma (PECVD), dll.

Perkembangan deposisi uap kimia tidak dapat dipisahkan dari karakteristiknya sendiri, yaitu sebagai berikut.

I) Ada banyak jenis endapan: lapisan logam, lapisan non-logam dapat diendapkan, dan lapisan paduan multi-komponen, serta lapisan keramik atau senyawa dapat disiapkan sesuai kebutuhan.

2) Reaksi CVD dilakukan pada tekanan atmosfer atau vakum rendah, dan difraksi lapisannya bagus. Dapat melapisi permukaan kompleks atau lubang dalam dan lubang halus pada benda kerja secara merata.

3) Dapat memperoleh lapisan film tipis dengan kemurnian tinggi, kepadatan baik, tegangan sisa rendah, dan kristalisasi baik. Karena difusi timbal balik gas reaksi, produk reaksi, dan substrat, lapisan film dengan daya rekat baik dapat diperoleh, yang sangat penting untuk pasivasi permukaan, ketahanan terhadap korosi, dan ketahanan terhadap keausan.

4) Karena suhu pertumbuhan film tipis jauh lebih rendah daripada titik leleh bahan film, lapisan film dengan kemurnian tinggi dan kristalisasi lengkap dapat diperoleh, yang diperlukan untuk beberapa film semikonduktor.

5) Dengan menyesuaikan parameter pengendapan, komposisi kimia, morfologi, struktur kristal dan ukuran butiran lapisan dapat dikontrol secara efektif.

6) Peralatannya sederhana dan mudah dioperasikan serta dirawat.

7) Suhu reaksi terlalu tinggi, umumnya 850~1100℃, dan banyak bahan substrat tidak dapat menahan suhu tinggi CVD. Teknologi plasma atau laser dapat digunakan untuk mengurangi suhu pengendapan.