CVD

A kémiai gőzleválasztás (CVD) egy olyan bevonási technológia, amely kémiai reakciók révén a gáz-halmazállapotú prekurzorokat szilárd anyagokká alakítja, és lerakja azokat az aljzat felületére. A CVD alapelve az, hogy kémiai reakciókkal, például pirolízissel, redukcióval és oxidációval vékony filmet hozzon létre a hordozó felületén. A CVD-technológia előnye a széles anyagválasztás, a kiváló filmminőség és a rugalmas folyamat.

A CVD-technológia fejlődése a 20. század elején kezdődött, de ipari alkalmazása főként a 20. század közepére-végére összpontosult. A félvezetőipar fejlődésével a CVD technológiát széles körben alkalmazták és gyorsan fejlődtek.

Számos módszer létezik a kémiai gőzleválasztásra, mint például atmoszférikus nyomású kémiai gőzleválasztás (APCVD), alacsony nyomású kémiai gőzleválasztás (LPCVD), ultranagy vákuum kémiai gőzleválasztás (UHVCVD), lézeres kémiai gőzleválasztás (LCVD), fém-szerves kémiai gőzleválasztás (MOCVD), plazma kémiai gőzleválasztás (PECVD) stb.

A kémiai gőzlerakódás kialakulása elválaszthatatlan saját jellemzőitől, amelyek a következők.

I) Sokféle lerakódás létezik: fémfóliák, nemfémes fóliák, valamint igény szerint többkomponensű ötvözetfóliák, valamint kerámia vagy összetett rétegek készíthetők.

2) A CVD-reakciót atmoszférikus nyomáson vagy alacsony vákuumban hajtják végre, és a bevonat diffrakciója jó. Egyenletesen bevonja az összetett felületeket vagy a mély lyukakat és a munkadarabok finom lyukait.

3) Vékony filmbevonatot kaphat nagy tisztasággal, jó sűrűséggel, alacsony maradékfeszültséggel és jó kristályosodással. A reakciógáz, a reakciótermék és a szubsztrátum kölcsönös diffúziója révén jó tapadású filmréteget kaphatunk, ami nagyon fontos a felület passziválása, korrózióállósága és kopásállósága szempontjából.

4) Mivel a vékonyréteg-növekedés hőmérséklete jóval alacsonyabb, mint a filmanyag olvadáspontja, nagy tisztaságú és teljes kristályosodással rendelkező filmréteget kaphatunk, amely egyes félvezető filmeknél szükséges.

5) A lerakódási paraméterek beállításával hatékonyan szabályozható a bevonat kémiai összetétele, morfológiája, kristályszerkezete és szemcsemérete.

6) A berendezés egyszerű, könnyen kezelhető és karbantartható.

7) A reakcióhőmérséklet túl magas, általában 850-1100 ℃, és sok szubsztrátumanyag nem képes ellenállni a CVD magas hőmérsékletének. A lerakódási hőmérséklet csökkentésére plazma vagy lézeres technológia használható.