ALD

Le dépôt de couches atomiques (ALD) est un procédé de haute précision basé sur le dépôt chimique en phase vapeur (CVD). La technologie de dépôt de couches minces permet de déposer des matériaux sous forme de films monoatomiques, en phase vapeur chimique, couche par couche, à la surface du substrat. Deux ou plusieurs précurseurs chimiques, chacun contenant un élément différent du matériau déposé, sont introduits un à un sur la surface du substrat. Chaque précurseur sature la surface pour former une monocouche de matériau.

Le principe de croissance de l'ALD est similaire à celui du dépôt chimique par évaporation (CVD) classique. Cependant, dans l'ALD, les précurseurs de réaction sont déposés en alternance pendant le processus de dépôt, et la réaction chimique de la nouvelle couche d'atomes est directement associée à la couche précédente, une seule couche d'atomes étant déposée par réaction. La croissance auto-limitée permet un dépôt conforme du film sur le substrat, sans piqûres. Le nombre de cycles de dépôt peut ainsi être contrôlé pour un contrôle précis de l'épaisseur du film.

Caractéristiques et avantages de la technologie de dépôt de couches atomiques

Haute précision. L'épaisseur du substrat peut être contrôlée facilement et précisément en contrôlant le cycle de réaction, et l'épaisseur du film peut être aussi précise que l'épaisseur d'un atome.

Excellente tridimensionnelle