Aguafuerte
Principios básicos del grabado en seco
1. Reacción gaseosa**: En el grabado en seco, se suelen utilizar gases como fluoruro y cloruro como reactivos de grabado. Estos gases reaccionan con el material a grabar en estado de plasma, formando subproductos volátiles.
2. Generación de plasma**: El gas se convierte en plasma mediante excitación por radiofrecuencia (RF) o microondas. En el plasma, las moléculas de gas se ionizan para producir radicales libres e iones que pueden reaccionar eficazmente con el material.
3. Grabado selectivo**: El grabado en seco permite lograr una alta selectividad y eliminar selectivamente materiales específicos, dejando otros intactos. Esto es fundamental para el procesamiento de estructuras complejas.
Aplicaciones del grabado en seco
- Fabricación de semiconductores: se utiliza para la transferencia de patrones en obleas de silicio para formar circuitos.
- Fabricación de MEMS: Procesamiento estructural de sistemas microelectromecánicos.
- Optoelectrónica: Fabricación de componentes optoelectrónicos como láseres y detectores.
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