ECV

La deposición química en fase de vapor (CVD) es una tecnología de recubrimiento que convierte precursores gaseosos en materiales sólidos mediante reacciones químicas y los deposita sobre la superficie del sustrato. El principio básico de la CVD es generar una película delgada sobre la superficie del sustrato mediante reacciones químicas como la pirólisis, la reducción y la oxidación. La tecnología CVD ofrece las ventajas de una amplia gama de materiales, una película de alta calidad y un proceso flexible.

El desarrollo de la tecnología CVD comenzó a principios del siglo XX, pero su aplicación industrial se concentró principalmente entre mediados y finales del siglo XX. Con el desarrollo de la industria de semiconductores, la tecnología CVD se ha extendido y desarrollado rápidamente.

Existen muchos métodos de deposición química de vapor, como la deposición química de vapor a presión atmosférica (APCVD), la deposición química de vapor a baja presión (LPCVD), la deposición química de vapor al ultraalto vacío (UHVCVD), la deposición química de vapor por láser (LCVD), la deposición química de vapor metalorgánico (MOCVD), la deposición química de vapor mejorada con plasma (PECVD), etc.

El desarrollo de la deposición química de vapor es inseparable de sus propias características, que son las siguientes.

I) Existen numerosos tipos de depósitos: se pueden depositar películas metálicas, películas no metálicas y se pueden preparar películas de aleaciones multicomponentes, así como capas cerámicas o compuestas según se requiera.

2) La reacción de CVD se realiza a presión atmosférica o bajo vacío, y la difracción del recubrimiento es buena. Permite recubrir uniformemente superficies complejas o agujeros profundos y finos en piezas de trabajo.

3) Permite obtener un recubrimiento de película delgada con alta pureza, buena densidad, baja tensión residual y buena cristalización. Gracias a la difusión mutua del gas de reacción, el producto de reacción y el sustrato, se obtiene una capa de película con buena adhesión, lo cual es fundamental para la pasivación superficial, la resistencia a la corrosión y el desgaste.

4) Dado que la temperatura de crecimiento de la película delgada es mucho menor que el punto de fusión del material de la película, se puede obtener una capa de película con alta pureza y cristalización completa, lo cual es necesario para algunas películas semiconductoras.

5) Al ajustar los parámetros de deposición, se pueden controlar eficazmente la composición química, la morfología, la estructura cristalina y el tamaño de grano del recubrimiento.

6) El equipo es sencillo y fácil de operar y mantener.

7) La temperatura de reacción es demasiado alta, generalmente entre 850 y 1100 °C, y muchos materiales de sustrato no soportan la alta temperatura de la deposición por CVD. Se puede utilizar tecnología asistida por plasma o láser para reducir la temperatura de deposición.