ALD

La deposición de capas atómicas (ALD) es un proceso de alta precisión basado en la deposición química en fase de vapor (CVD). Tecnología de deposición de película delgada: Esta técnica permite depositar materiales en forma de películas uniatómicas basadas en fases químicas de vapor capa a capa sobre la superficie del sustrato. Dos o más precursores químicos, cada uno con un elemento diferente del material que se deposita, se introducen uno a uno sobre la superficie del sustrato. Cada precursor satura la superficie para formar una monocapa de material.

El principio de crecimiento de la ALD es similar al de la deposición química atmosférica convencional (CVD), pero en la ALD, los precursores de reacción se depositan alternativamente durante el proceso de deposición, y la reacción química de la nueva capa de átomos está directamente asociada con la capa anterior, depositándose solo una capa de átomos por reacción. Sus características de crecimiento autolimitado permiten que la película se deposite sobre el sustrato de forma conforme y sin poros. Por lo tanto, se puede controlar el número de ciclos de deposición para lograr un control preciso del espesor de la película.

Características y ventajas de la tecnología de deposición de capas atómicas

Alta precisión. El espesor del sustrato se puede controlar fácil y precisamente controlando el ciclo de reacción, y el espesor de la película puede ser tan preciso como el espesor de un átomo.

Excelente tridimensional