ALD

Atomlagenabscheidung (ALD) ist ein hochpräzises Verfahren auf Basis chemischer Gasphasenabscheidung (CVD). Dünnschichtabscheidung ist eine Technik, mit der Materialien in Form von einatomigen Filmen auf Basis chemischer Dampfphasen schichtweise auf der Substratoberfläche abgeschieden werden. Zwei oder mehr chemische Vorläufersubstanzen, die jeweils ein anderes Element des abzuscheidenden Materials enthalten, werden nacheinander auf die Substratoberfläche aufgebracht. Jede Vorläufersubstanz durchdringt die Oberfläche und bildet eine Monoschicht.

Das Wachstumsprinzip der ALD ähnelt der konventionellen chemischen Wetterabscheidung (CVD). Allerdings werden bei der ALD die Reaktionsvorläufer während des Abscheidungsprozesses abwechselnd abgeschieden, und die chemische Reaktion der neuen Atomschicht ist direkt mit der vorherigen verbunden, wobei pro Reaktion nur eine Atomschicht abgeschieden wird. Dank der selbstlimitierenden Wachstumseigenschaften kann der Film konform und ohne Nadellöcher auf dem Substrat abgeschieden werden. Dadurch kann die Anzahl der Abscheidungszyklen gesteuert werden, um eine präzise Kontrolle der Filmdicke zu erreichen.

Merkmale und Vorteile der Atomlagenabscheidungstechnologie

Hohe Genauigkeit. Die Dicke des Substrats kann durch Steuerung des Reaktionszyklus einfach und präzise gesteuert werden, und die Dicke des Films kann so genau wie die Dicke eines Atoms sein.

Ausgezeichnete Dreidimensionalität