Osadzanie warstw atomowych (ALD) to proces oparty na wysokoprecyzyjnym chemicznym osadzaniu z fazy gazowej (CVD). Technologia osadzania cienkich warstwJest to technika osadzania materiałów w postaci pojedynczych warstw atomowych na podstawie chemicznych faz gazowych warstwa po warstwie na powierzchni podłoża. Dwa lub więcej prekursorów chemicznych, z których każdy zawiera inny pierwiastek osadzanego materiału, wprowadza się pojedynczo na powierzchnię podłoża. Każdy prekursor nasyca powierzchnię, tworząc monowarstwę materiału.
Zasada wzrostu ALD jest podobna do konwencjonalnego chemicznego osadzania atmosferycznego (CVD), ale w ALD prekursory reakcji są osadzane naprzemiennie podczas procesu osadzania, a reakcja chemiczna nowej warstwy atomów jest bezpośrednio związana z poprzednią warstwą, przy czym na reakcję osadzana jest tylko jedna warstwa atomów. Posiadanie samoograniczających się cech wzrostu pozwala na osadzanie filmu na podłożu konformalnie i bez dziurek. Dlatego liczba cykli osadzania może być kontrolowana w celu uzyskania precyzyjnej kontroli grubości filmu.
Cechy i zalety technologii osadzania warstw atomowych
Wysoka dokładność. Grubość podłoża można łatwo i precyzyjnie kontrolować poprzez kontrolowanie cyklu reakcji, a grubość warstwy może być tak dokładna, jak grubość atomu.
Doskonała trójwymiarowość
01