Atomic Layer Deposition (ALD) is een zeer nauwkeurig chemisch dampdepositie (CVD)-gebaseerd proces. Thin Film Deposition TechnologyDit is een techniek voor het afzetten van materiaalmaterialen in de vorm van enkelvoudige atoomfilms op basis van chemische dampfasen laag voor laag op het substraatoppervlak. Twee of meer precursorchemicaliën, die elk een ander element van het af te zetten materiaal bevatten, worden één voor één op het substraatoppervlak geïntroduceerd. Elke precursor verzadigt het oppervlak om een monolaag van materiaal te vormen.
Het groeiprincipe van ALD is vergelijkbaar met conventionele chemische weersdepositie (CVD), maar bij ALD worden de reactieprecursoren afwisselend afgezet tijdens het depositieproces en is de chemische reactie van de nieuwe laag atomen direct geassocieerd met de vorige laag, met slechts één laag atomen die per reactie wordt afgezet. Door zelfbeperkende groeikenmerken kan de film conform en zonder gaatjes op het substraat worden afgezet. Daarom kan het aantal depositiecycli worden geregeld om een nauwkeurige controle van de filmdikte te bereiken.
Kenmerken en voordelen van de atomaire laagdepositietechnologie
Hoge nauwkeurigheid. De dikte van het substraat kan eenvoudig en nauwkeurig worden geregeld door de reactiecyclus te regelen. De dikte van de film kan zo nauwkeurig zijn als de dikte van een atoom.
Uitstekende driedimensionale
01