Pemendapan Wap Kimia (CVD) ialah sejenis teknologi salutan yang menukarkan prekursor gas kepada bahan pepejal melalui tindak balas kimia dan memendapkannya pada permukaan substrat. Prinsip asas CVD adalah untuk menghasilkan filem nipis pada permukaan substrat melalui tindak balas kimia seperti pirolisis, pengurangan, dan pengoksidaan. Teknologi CVD mempunyai kelebihan dari pelbagai pilihan bahan, kualiti filem yang tinggi, dan proses yang fleksibel.
Perkembangan teknologi CVD bermula pada awal abad ke-20, tetapi aplikasinya dalam industri terutamanya tertumpu pada pertengahan hingga akhir abad ke-20. Dengan perkembangan industri semikonduktor, teknologi CVD telah digunakan secara meluas dan dibangunkan dengan pesat.
Terdapat banyak kaedah pemendapan wap kimia, seperti pemendapan wap kimia tekanan atmosfera (APCVD), pemendapan wap kimia tekanan rendah (LPCVD), pemendapan wap kimia vakum ultratinggi (UHVCVD), pemendapan wap kimia laser (LCVD), kimia logam-organik pemendapan wap (MOCVD), pemendapan wap kimia dipertingkatkan plasma (PECVD), dsb.
Perkembangan pemendapan wap kimia tidak dapat dipisahkan daripada ciri-cirinya sendiri, iaitu seperti berikut.
I) Terdapat banyak jenis deposit: filem logam, filem bukan logam boleh didepositkan, dan filem aloi berbilang komponen, serta lapisan seramik atau kompaun boleh disediakan mengikut keperluan.
2) Tindak balas CVD dijalankan pada tekanan atmosfera atau vakum rendah, dan pembelauan salutan adalah baik. Ia boleh menyalut permukaan kompleks atau lubang dalam dan lubang halus pada bahan kerja secara sama rata.
3) Ia boleh mendapatkan salutan filem nipis dengan ketulenan tinggi, ketumpatan yang baik, tegasan sisa yang rendah dan penghabluran yang baik. Disebabkan oleh resapan bersama gas tindak balas, produk tindak balas dan substrat, lapisan filem dengan lekatan yang baik boleh diperolehi, yang sangat penting untuk pempasifan permukaan, rintangan kakisan dan rintangan haus.
4) Oleh kerana suhu pertumbuhan filem nipis jauh lebih rendah daripada takat lebur bahan filem, lapisan filem dengan ketulenan tinggi dan penghabluran lengkap boleh diperolehi, yang diperlukan untuk beberapa filem semikonduktor.
5) Dengan melaraskan parameter pemendapan, komposisi kimia, morfologi, struktur kristal dan saiz butiran salutan boleh dikawal dengan berkesan.
6) Peralatannya ringkas dan mudah dikendalikan dan diselenggara.
7) Suhu tindak balas terlalu tinggi, secara amnya 850 ~ 1100 ℃, dan banyak bahan substrat tidak dapat menahan suhu tinggi CVD. Teknologi bantuan plasma atau laser boleh digunakan untuk mengurangkan suhu pemendapan.
01