Atomic Layer Deposition (ALD) è un processo basato sulla deposizione chimica da vapore (CVD) ad alta precisione. Tecnologia di deposizione di film sottiliQuesta è una tecnica per depositare materiali materiali sotto forma di film monoatomici basati su fasi di vapore chimico strato per strato sulla superficie del substrato. Due o più sostanze chimiche precursori, ciascuna contenente un elemento diverso del materiale da depositare, vengono introdotte una alla volta sulla superficie del substrato. Ogni precursore satura la superficie per formare un monostrato di materiale.
Il principio di crescita dell'ALD è simile alla deposizione chimica meteorologica convenzionale (CVD), ma nell'ALD, i precursori della reazione vengono depositati alternativamente durante il processo di deposizione e la reazione chimica del nuovo strato di atomi è direttamente associata allo strato precedente, con un solo strato di atomi depositato per reazione. Avere caratteristiche di crescita autolimitanti consente al film di essere depositato sul substrato in modo conforme e senza fori. Pertanto, il numero di cicli di deposizione può essere controllato per ottenere un controllo preciso dello spessore del film.
Caratteristiche e vantaggi della tecnologia di deposizione a strati atomici
Elevata precisione. Lo spessore del substrato può essere controllato facilmente e con precisione controllando il ciclo di reazione e lo spessore della pellicola può essere preciso quanto lo spessore di un atomo.
Eccellente tridimensionale
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