1. پوشش کندوپاش مگنترون بسیار بهتر از پوشش یون قوس است و ذرات قطرات درشت کمتری وجود دارد.
2. نیروی پیوند لایه لایه بهتر از پوشش تبخیر خلاء است. در تکنولوژی پوشش تبخیر خلاء، انرژی اتم ها در لایه فیلم تنها انرژی گرمایی است که در طول تبخیر حمل می شود که معادل 00.1 تا 0.2eV است. در حالی که در فناوری پوشش کندوپاش مگنترون، انرژی ذرات لایه فیلم توسط یونهای آرگون و اتمهای سطح هدف تولید میشود. تبادل و تبادل مومنتوم می تواند نیروی اتصال غشا-پایه را بهبود بخشد.
3. ترکیب لایه فیلم نزدیک به ماده مورد نظر است. لایه فیلم کندوپاش مگنترون از هدف توسط یون های آرگون پراکنده می شود و ترکیب لایه فیلم بسیار نزدیک به ماده مورد نظر است. پدیده "تجزیه" یا "تجزیه" حاصل در مقایسه با آبکاری تبخیر نسبتاً سبک است. با این حال، به طور کلی هنگام پوشش دادن یک فیلم عملکردی با الزامات عملکرد بسیار دقیق، مقدار معینی گاز راکتیو باید در طول فرآیند کندوپاش اضافه شود تا ترکیب فیلم ترکیبی فیلم با نسبت استوکیومتری مطابقت داشته باشد تا از الزامات عملکرد فیلم اطمینان حاصل شود.
4. پوشش عملکرد پوشش خوبی دارد. فشار خلاء پوشش کندوپاش کم است. مسیر آزاد مولکول های گاز کوتاه است، احتمال برخورد زیاد است و در مقایسه با پوشش تبخیر، توانایی پراکندگی ذرات فیلم قوی است، عملکرد پوشش خوب است و ضخامت فیلم یکنواخت است.
5. هدف کندوپاش یک منبع پوشش از نوع ناحیه است. طول هر دو هدف پراکنده مگنترون هواپیما و هدف مگنترون استوانه ای می تواند به 300 تا 3000 میلی متر برسد. اگرچه هر دو منبع پوشش خطی هستند، همراه با حرکت مداوم قطعه کار، میتوان آن را روی سطح وسیعی از قطعات پوشش داد. اگر یک فیلم روی سطح شیشه ای با عرض 3300 میلی متر پوشانده شود، می توان یک لایه فیلم یکنواخت با رنگ ها و قابلیت عبور متفاوت به دست آورد. کندوپاش مگنترون به طور گسترده ای در رسوب گذاری لایه های نازک با مساحت وسیع استفاده شده است.
6. از ولتاژ بایاس به قطعه کار استفاده کنید. در ابتدا، در فناوری کندوپاش مگنترون. امروزه فناوری پوشش کندوپاش مگنترون به طور گسترده ای بر روی بسترهای فلزی استفاده می شود و اعمال ولتاژ بایاس منفی به قطعه کار برای بهبود کیفیت لایه فیلم به فناوری اصلی برای پوشش فیلم های کاربردی خاص و محصولات تزئینی پیشرفته تبدیل شده است.
01