Atomlagenabscheidung (ALD) ist ein hochpräziser Prozess auf Basis der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD). DünnschichtabscheidungstechnologieDies ist eine Technik zum Abscheiden von Materialmaterialien in Form von Einzelatomfilmen auf Basis chemischer Gasphasen Schicht für Schicht auf der Substratoberfläche. Zwei oder mehr chemische Vorläufer, die jeweils ein anderes Element des abzuscheidenden Materials enthalten, werden nacheinander auf die Substratoberfläche aufgebracht. Jeder Vorläufer sättigt die Oberfläche und bildet eine Materialmonoschicht.
Das Wachstumsprinzip von ALD ähnelt dem der herkömmlichen chemischen Wetterabscheidung (CVD), aber bei ALD werden die Reaktionsvorläufer während des Abscheidungsprozesses abwechselnd abgelagert, und die chemische Reaktion der neuen Atomschicht ist direkt mit der vorherigen Schicht verbunden, wobei pro Reaktion nur eine Atomschicht abgelagert wird. Durch die selbstbegrenzenden Wachstumseigenschaften kann der Film konform und ohne Nadellöcher auf dem Substrat abgelagert werden. Daher kann die Anzahl der Abscheidungszyklen gesteuert werden, um eine präzise Kontrolle der Filmdicke zu erreichen.
Merkmale und Vorteile der Atomlagenabscheidungstechnologie
Hohe Genauigkeit. Die Dicke des Substrats kann durch Steuerung des Reaktionszyklus einfach und präzise gesteuert werden und die Dicke des Films kann so genau wie die Dicke eines Atoms sein.
Ausgezeichnete dreidimensionale
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